O le uʻamea-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET, MOS-FET, poʻo le MOS FET) o se ituaiga o faʻaogaina o le fanua (FET), e masani ona gaosia e le faʻamaʻiina o le silicon. O loʻo i ai se faitotoʻa faʻapipiʻi, o le voltage lea e fuafua ai le conductivity o le masini.
O lona uiga autu o loʻo i ai se mea faʻapipiʻi faʻapipiʻi silicon dioxide i le va o le faitotoa uʻamea ma le alalaupapa, o lea e maualuga ai le teteʻe (e oʻo atu i le 1015Ω). Ua vaevaeina foi i le N-channel tube ma le P-channel tube. E masani lava ona feso'ota'i fa'atasi le mea fa'apipi'i (substrate) ma le puna S.
E tusa ai ma faiga faʻaoso eseese, MOSFET ua vaevaeina i le faʻaleleia o le ituaiga ma le faʻaleagaina.
O le mea e taʻua o le faʻaleleia o lona uiga: a VGS = 0, o le paipa o loʻo i totonu o se tulaga tipi. A maeʻa ona faʻaopoopo le VGS saʻo, o le tele o avefeʻau e tosina atu i le faitotoʻa, ma "faʻaleleia" le avefeʻau i lenei eria ma fausia ai se auala faʻatautaia. .
O le fa'aitiitia o lona uiga pe a VGS=0, e fa'atūina se alalaupapa. A faʻaopoopo le VGS saʻo, o le tele o vaʻa e mafai ona tafe mai le alalaupapa, ma "faʻaitiitia" ai le vaʻa ma tape le paipa.
Fa'ailoga le mafua'aga: O le fa'aogaina o le JFET e sili atu nai lo le 100MΩ, ma o le transconductance e maualuga tele, pe a ta'ita'iina le faitoto'a, o le avanoa i totonu o le fale e matua faigofie lava ona iloa le fa'ailoga o le voluma galue i luga o le faitoto'a, ina ia mafai ai e le paipa ona fa'asolosolo. e o'o i, po'o le fa'asolo. Afai e vave faʻapipiʻi le voltage induction o le tino i le faitotoʻa, ona o le faʻalavelave electromagnetic autu e malosi, o le tulaga o loʻo i luga o le a sili atu ona taua. Afai e matua'i sōsō le nila mita i le agavale, o lona uiga o le paipa e masani ona o'o i luga, o le RDS e fa'apupulaina alavai e fa'alautele, ma o le aofa'i o alavai-puna e fa'aitiitia ai le IDS. I le isi itu, o le nila mita e faʻafefeteina i le itu taumatau, e faʻaalia ai o le paipa e foliga mai o loʻo pe, RDS e alu i lalo, ma IDS e alu i luga. Ae ui i lea, o le itu tonu o loʻo faʻafefe ai le nila mita e tatau ona faʻalagolago i pou lelei ma le le lelei o le voltage faʻaosoina (tulaga lelei galue voltage poʻo le faʻaliliuina o le eletise galue) ma le ogatotonu galue o le paipa.
WINSOK DFN3x3 MOSFET
O le avea o le alalaupapa N e fai ma faʻataʻitaʻiga, e faia i luga o le P-type silicon substrate faʻatasi ai ma le lua e sili ona doped puna faʻasalalau itulagi N + ma alavai faʻasalalau itulagi N +, ona taʻitaʻi atu ai lea o le puna eletise S ma le alavai eletise D. O le puna ma le substrate e fesoʻotaʻi i totonu, ma latou te faʻatumauina i taimi uma le gafatia tutusa. A fa'afeso'ota'i le alavai i le fa'amau lelei o le sapalai eletise ma o lo'o feso'ota'i le puna i le fa'amau le lelei o le sapalai eletise ma VGS=0, o le alavai o lo'o i ai nei (ie alavai i le taimi nei) ID=0. A'o fa'atupula'ia le VGS, fa'atosinaina e le pa'u lelei o le faitoto'a, o lo'o fa'aosoina avefe'au to'alaiti o lo'o molia i le va o itulagi fa'asalalauina e lua, ma fa'atupuina ai le ala-N mai le alavai i le puna. A sili atu le VGS nai lo le VTN o le fa'agaau (e masani lava e uiga i le +2V), ona amata lea ona fa'atautaia le paipa N-channel, fa'atupuina ai se alavai ID.
VMOSFET (VMOSFET), o lona igoa atoa o le V-groove MOSFET. Ose mea fou fa'atupuina maualuga-lelei, eletise fa'aliliu masini pe a uma le MOSFET. E le gata ina mautofi i le maualuga o le faʻaogaina o le MOSFET (≥108W), ae faʻapea foʻi ma le laʻititi laʻititi o loʻo i ai nei (e uiga i le 0.1μA). E iai foʻi uiga sili ona lelei e pei o le maualuga o le malosi (e oʻo atu i le 1200V), tele o loʻo galue i le taimi nei (1.5A ~ 100A), maualuga le malosi o le gaosiga (1 ~ 250W), laina lelei o le transconductance, ma le saoasaoa o suiga vave. E saʻo ona o le tuʻufaʻatasia o le lelei o paipa vacuum ma transistors eletise, o loʻo faʻaaogaina lautele i le eletise eletise (e mafai ona oʻo atu i le afe o taimi le faʻalauteleina o le eletise), faʻamalosi eletise, fesuiaʻi sapalai eletise ma inverters.
E pei ona tatou iloa uma, o le faitotoʻa, puna ma alavai o se MOSFET masani o loʻo i luga o le vaalele faʻalava tutusa i luga o le pu, ma o lona gaioiga o loʻo tafe i le itu faʻalava. E ese le paipa VMOS. E lua vaega tetele o le fausaga: muamua, o le faitotoa uʻamea faʻaaogaina se fausaga V-foliga; lona lua, o loʻo i ai le faʻaulu i luga. Talu ai ona o le alavai e toso mai le pito i tua o le pu, o le ID e le tafe faalava i luga o le pu, ae amata mai le N+ itulagi mamafa doped (puna S) ma tafe atu i le N-drift itulagi mama doped e ala i le ala P. Mulimuli ane, e oʻo i luga i lalo e faʻafefe D. Ona o le faʻalauteleina o le vaega faʻasolosolo faʻasolosolo, e mafai ona ui atu i ai galu tetele. Talu ai o loʻo i ai se faʻamaʻi faʻamaʻi faʻamaʻi i le va o le faitotoa ma le pu, o loʻo i ai pea se faitotoa faʻafefe MOSFET.
Tulaga lelei o le faʻaaogaina:
MOSFET o se elemene e pulea voltage, ae o le transistor o se elemene e pulea i le taimi nei.
MOSFETs e tatau ona faʻaaogaina pe a na o sina vaega itiiti o le taimi nei e faʻatagaina e toso mai le faʻailoga; transistors e tatau ona faʻaaogaina pe a maualalo le voltage faʻailoga ma sili atu le taimi nei e faʻatagaina e toso mai le punavai faailo. O lo'o fa'aaogaina e le MOSFET le tele o fe'avea'i e fa'atautaia ai le eletise, o lea e ta'ua ai o le unipolar device, a'o transistors latou te fa'aogaina uma le tele o felauaiga ma vaega laiti e fa'atautaia ai le eletise, o lea e ta'ua ai o le bipolar device.
O le puna ma le alavai o nisi MOSFET e mafai ona faʻaoga faʻafefe, ma o le faitotoa eletise e mafai ona lelei pe leaga, e sili atu ona fetuutuunai nai lo triodes.
MOSFET e mafai ona fa'agaoioia i lalo ole la'ititi la'ititi o le taimi nei ma tulaga maualalo tele, ma o lona gaosiga fa'agaioiga e mafai ona faigofie ona tu'ufa'atasia le tele o MOSFET i luga o se kasa. O le mea lea, MOSFET ua faʻaaogaina lautele i faʻasalalauga faʻapipiʻi tetele.
Olueky SOT-23N MOSFET
O uiga faʻaoga taʻitasi o le MOSFET ma le transistor
1. O le puna s, faitotoa g, ma le alavai d o le MOSFET e fetaui ma le emitter e, faavae b, ma le aoina c o le transistor. E tutusa a latou galuega.
2. MOSFET o se eletise-pulea le taimi nei masini, iD e pulea e vGS, ma lona amplification coefficient gm e masani lava laiti, o lea e le lelei le gafatia faʻalauteleina o le MOSFET; o le transistor o se masini e pulea i le taimi nei, ma o le iC e pulea e le iB (poʻo le iE).
3. O le faitotoa o le MOSFET e toetoe lava a leai se taimi (ig»0); a'o le fa'avae o le transistor e toso mai i taimi uma se taimi fa'apitoa pe a galue le transistor. O le mea lea, e maualuga atu le faʻaogaina o le faitotoa o le MOSFET nai lo le faʻaogaina o le transistor.
4. MOSFET e aofia ai multicarriers o loʻo aʻafia i le taʻavale; transistors e lua ave, multicarriers ma vaega laiti, o loʻo aʻafia i le faʻatautaia. Ole fa'atonuga ole la'ititi la'ititi e a'afia tele ile mea e pei ole vevela ma fa'avevela. O le mea lea, o MOSFET e sili atu le mautu o le vevela ma sili atu le malosi o le faʻamalositino faʻamalosi nai lo transistors. MOSFET e tatau ona fa'aoga i tulaga o le si'osi'omaga (vevela, ma isi) e matua'i eseese.
5. Pe a fesoʻotaʻi faʻatasi le uʻamea puna ma le substrate o le MOSFET, e mafai ona faʻaaogaina le puna ma le alavai, ma e laʻititi le suiga o uiga; ae pe a faʻaaogaina le aoina ma le emitter o le triode e fesuiaʻi, o uiga e matua ese lava. Ole tau ole β ole a faʻaititia tele.
6. O le pisa o le MOSFET e laʻititi lava. E tatau ona fa'aogaina le MOSFET i le tele e mafai ai i le fa'aulufaleina o ta'amilosaga fa'alaiti ole pisapisao ma ta'amilosaga e mana'omia ai se fua fa'ailoga maualuga i le pisa.
7. E mafai e le MOSFET ma le transistor ona fausia ni ta'amilosaga fa'atele ma le fesuia'iga, ae o le mea muamua o lo'o i ai se fa'agasologa faigofie o gaosiga ma e iai le lelei o le fa'aaogaina o le eletise, lelei le mautu o le vevela, ma le lautele o le fa'aogaina o le eletise eletise. O le mea lea, o loʻo faʻaaogaina lautele i le tele-tele ma le tele-tele-faʻapipiʻi faʻatasi.
8. O le transistor e tele i luga o le tetee, ae o le MOSFET o loʻo i ai se laʻititi i luga o le tetee, na o ni nai selau mΩ. I masini eletise o loʻo iai nei, o MOSFET e masani ona faʻaaogaina e fai ma sui, ma o lo latou lelei e maualuga tele.
WINSOK SOT-323 fa'apipi'i MOSFET
MOSFET vs. Bipolar Transistor
MOSFET o se masini e pulea voltage, ma o le faitotoa e leai se taimi, ae o le transistor o se masini e pulea i le taimi nei, ma o le faavae e tatau ona ave i ai se taimi patino. O le mea lea, pe a laʻititi laʻititi le faʻamauina o le puna faailoilo, e tatau ona faʻaaogaina le MOSFET.
O le MOSFET o se ta'avale e tele-aveina, ae o lo'o fa'atasi uma ave fe'avea'i o se transistor i le ta'avale. Talu ai ona o le faʻatonuga o tagata laʻititi laʻititi e matua maaleale i tulaga i fafo e pei o le vevela ma le vevela, o le MOSFET e sili atu ona talafeagai mo tulaga e suia tele ai le siosiomaga.
I le faaopoopo atu i le faʻaaogaina o masini faʻapipiʻi ma suiga e mafai ona faʻaogaina e pei o transistors, e mafai foi ona faʻaaogaina MOSFETs e pei o le voltage-controlled linear resistors.
O le puna ma le alavai o le MOSFET e tutusa lelei le fausaga ma e mafai ona faʻaoga faʻafefe. Ole alavai ole faitoto'a ole fa'aitiitia ole MOSFET e mafai ona lelei pe leaga. O le mea lea, o le faʻaaogaina o MOSFET e sili atu ona fetuutuunai nai lo transistors.
Taimi meli: Oke-13-2023
