Fa'atomuaga i le ta'iala galue o MOSFET maualuga-maualuga fa'aaogaina

I aso nei i luga o le masani ona faʻaaogaina maualuga-manaMOSFETe fa'ailoa fa'apuupuu lona fa'avae galue. Va'ai pe fa'apefea ona iloa lana lava galuega.

Metal-Oxide-Semicconductor o le, Metal-Oxide-Semicconductor, saʻo, o lenei igoa o loʻo faʻamatalaina ai le fausaga o le MOSFET i totonu o le fesoʻotaʻiga tuʻufaʻatasia, o lona uiga: i totonu o se fausaga faʻapitoa o le masini semiconductor, faʻatasi ma le silicon dioxide ma le uamea, le faʻavaeina. o le faitotoa.

O le puna ma le alavai o le MOSFET e fa'afeagai, o vaega uma o N-ituaiga sone na fausia i totonu ole P-ituaiga tua. I le tele o tulaga, o vaega e lua e tutusa, e tusa lava pe lua pito o le fetuutuunaiga o le a le afaina ai le faatinoga o le masini, o sea masini e manatu tutusa.

Fa'avasegaga: e tusa ai ma le ituaiga mea auala ma ituaiga faitotoa insulated o ta'itasi N-auala ma P-auala lua; e tusa ai ma le faiga conductive: MOSFET ua vaevaeina i le faʻaitiitia ma le faʻaleleia, o lea ua vaevaeina le MOSFET i le N-channel depletion ma le faʻaleleia; Fa'aitiitiga o le alalaupapa P ma le fa'aleleia atili o vaega tetele e fa.

MOSFET mataupu faavae o le faagaoioiga - o le fausaga o uiga oMOSFETe na'o le tasi le polarity carriers (polys) e aofia i le conductive, o se transistor unipolar. O le faʻaogaina o masini e tutusa ma le MOSFET maualalo, ae o le fausaga e iai se eseesega tele, o le MOSFET maualalo le malosi o se masini faʻataʻitaʻi, o le tele o le malosi o le MOSFET vertical conductive structure, e lauiloa foi o le VMOSFET, lea e faʻaleleia atili ai le MOSFET. eletise ma le taimi nei e mafai ona tetee atu i le malosi. O le mea autu o loʻo i ai se faʻapipiʻi o le silica insulation i le va o le faitotoa uʻamea ma le alalaupapa, ma o le mea lea e maualuga ai le faʻaogaina o le faʻaogaina, o le paipa e faʻatautaia i ni maualuga maualuga se lua o le sone faʻasalalau e fausia ai se auala faʻanofo n-ituaiga. E tatau ona fa'aoga le MOSFET fa'aleleia o le n-channel i le faitoto'a ma le fa'aituau i luma, ma na'o le taimi lava e sili atu ai le voltage puna o le faitoto'a nai lo le voltage paepae o le ala ta'avale fa'atupuina e le MOSFET n-channel. MOSFET ituaiga fa'aitiitiga o le n-channel o MOSFET o le fa'auluina o alavai e fa'atupuina pe a le fa'aogaina le eletise ole faitoto'a.

O le taʻiala o le faʻaogaina o le MOSFET o le faʻatonutonuina lea o le aofaʻi o le "tauaveina faʻaoso" e ala i le faʻaaogaina o le VGS e suia ai le tulaga o le auala faʻaulu e faia e le "tauave faʻaoso", ona ausia lea o le faʻamoemoe o le puleaina o le alavai. I le gaosiga o paipa, e ala i le faagasologa o le insulating layer i le tulaʻi mai o se numera tele o ion lelei, o lea i le isi itu o le atinaʻe e mafai ona faʻaosoina sili atu le leaga, o nei tau le lelei i le maualuga o le ulu o mea leaga i le N. itulagi e fesoʻotaʻi ma le faʻavaeina o se auala faʻatautaia, e oʻo lava i le VGS = 0 o loʻo i ai foi se ID tele leakage i le taimi nei. pe a suia le voltage faitotoa, ua suia foi le aofaʻi o le tau faʻaosoina i le alalaupapa, ma le lautele o le auala conductive ma le vaapiapi o le auala ma suiga, ma faapea le leakage ID nei ma le faitotoa voltage. ID i le taimi nei e eseese ma le voltage faitotoa.

O lea la o le faaaogaina oMOSFETua matua fa'aleleia atili le a'oa'oina o tagata, lelei galuega, a'o fa'aleleia atili o tatou olaga. E sili atu lo tatou malamalamaga fa'atatau i ai e ala i sina malamalama faigofie. E le gata o le a faʻaaogaina o se meafaigaluega, sili atu le malamalama i ona uiga, o le mataupu faavae o le galue, lea o le a tatou maua ai foi le tele o le fiafia.