E tele fesuiaiga o fa'ailoga matagaluega e masani ona fa'aoga mo MOSFET. O le mamanu masani o se laina saʻo e fai ma sui o le alalaupapa, lua laina faʻasaga i le alalaupapa e fai ma sui o le puna ma alavai, ma se laina puupuu e tutusa ma le ala i le agavale e fai ma sui o le faitotoa. O nisi taimi o le laina sa'o e fai ma sui o le alavai e suia foi i se laina motusia e iloa ai le va o le faʻaleleia atilimofet poʻo le faʻaitiitia o le mode mosfet, lea e vaevaeina foi i le N-channel MOSFET ma le P-channel MOSFET ituaiga e lua o faʻataʻitaʻiga e pei ona faʻaalia i le ata (e ese le itu o le aū).
Malosiaga MOSFET e galue i ni auala autu se lua:
(1) Pe a faʻaopoopoina se voltage lelei i le D ma le S (faʻafefe lelei, puna leaga) ma le UGS = 0, o le PN junction i le P body region ma le N drain region e faʻaituau faʻaituau, ma e leai se vaʻaiga i le va o D. ma S. Afai e faaopoopo se UGS lelei voltage i le va o le G ma le S, e leai se faitotoa o le taimi nei o le a tafe ona o le faitotoa ua insulated, ae o se voltage lelei i le faitotoa o le a tuleia le pu mai le itulagi P i lalo ifo, ma le vaega laiti ave electrons o le a. e tosina atu i le P itulagi luga Pe a sili atu le UGS nai lo se volisi UT patino, o le electron concentration i luga o le pito P itulagi i lalo o le faitotoa o le a sili atu i le concentration pu, ma faapea ona faia ai le P-ituaiga semiconductor antipattern layer N-ituaiga semiconductor ; o lenei vaega antipattern e fausia ai se auala N-ituaiga i le va o le punavai ma le alavai, ina ia mou atu le PN junction, o le puna ma alavai conductive, ma se alavai ID o loo i ai nei e tafe i le alavai. O le UT e taʻua o le voltage turn-on poʻo le voltage threshold, ma o le tele o le UGS e sili atu i le UT, o le sili atu lea o le conductive le gafatia, ma o le tele o le ID. Ole tele ole UGS e sili atu ile UT, ole malosi ole amio, ole tele ole ID.
(2) A fa'apea D, S fa'aopoopo i ai le voluma leaga (punavai lelei, fa'afefe leaga), o le fa'asagaga o le PN e fa'aituau i luma, e tutusa ma se diode i totonu (e leai ni uiga tali vave), o lona uiga, o leMOSFET e leai se fa'alavelave fa'alavelave fa'alavelave, e mafai ona fa'apea o se vaega fa'aoso fa'afeagai.
E ala i leMOSFET mataupu faavae o le faagaoioiga e mafai ona vaaia, o lona conduction na o le tasi polarity feaveai aafia i le conductive, lea foi ua lauiloa o le unipolar transistor.MOSFET taavale e masani ona faavae i luga o le sapalai mana IC ma MOSFET tapulaʻa e filifili le matagaluega talafeagai, MOSFET e masani ona faaaogaina mo fesuiai. ta'avale ta'avale eletise. Pe a mamanuina se sapalai eletise e faʻaaoga ai le MOSFET, o le toʻatele o tagata e mafaufau i le on-resistance, voltage maualuga, ma le maualuga o le taimi nei o le MOSFET. Ae ui i lea, e masani lava ona mafaufau tagata i nei mea, ina ia mafai ona galue lelei le matagaluega, ae e le o se fofo lelei. Mo se faʻamatalaga auiliili, e tatau foi i le MOSFET ona mafaufau i ana lava faʻamatalaga faʻamatalaga. Mo se MOSFET mautinoa, o lana taʻavale taʻavale, o le maualuga o le taʻavale, ma isi mea, o le a aʻafia ai le suiga o le MOSFET.
Taimi meli: Me-17-2024
