D-FET o lo'o i totonu ole 0 faitoto'a fa'aituau pe a iai le alalaupapa, e mafai ona fa'atautaia le FET; E-FET o loʻo i totonu o le 0 faitotoa faʻaituau pe a leai se auala, e le mafai ona faʻatautaia le FET. o nei ituaiga FET e lua e iai o latou uiga ma fa'aoga. I se tulaga lautele, faʻaleleia le FET i le maualuga-saosaoa, taʻavale maualalo e taua tele; ma o loʻo galue lenei masini, o le polarity o le faitotoa faʻaituau vofa'amama ma fa'afefe voltage o le tutusa, e sili atu ona faigofie i le mamanu matagaluega.
O le mea e taʻua o le faʻaleleia atili: pe a VGS = 0 tube o se setete tipi, faʻatasi ai ma le VGS saʻo, o le tele o avefeʻau e tosina atu i le faitotoʻa, ma "faʻaleleia" le avefeʻau i totonu o le itulagi, ma fausia ai se auala faʻatautaia. n-channel faʻaleleia MOSFET o se faʻasologa agavaʻa-taumatau topology, o le P-ituaiga semiconductor i luga o le faʻatupuina o se vaega o le faʻamalama ata tifaga SiO2. E fa'atupuina ai se vaega fa'amama o le SiO2 ata i luga o le P-type semiconductor, ona fa'asalalauina lea o ni vaega N-ituaiga maualuga e lua.photolithography, ma taʻitaʻia electrodes mai le itulagi N-ituaiga, tasi mo le alavai D ma le tasi mo le puna S. O se vaega o le uʻamea alumini ua faʻapipiʻiina i luga o le faʻamaufaʻailoga i le va o le puna ma le alavai e pei o le faitotoa G. A VGS = 0 V , o loʻo i ai ni nai diodes faʻatasi ai ma tua i tua i le va o le alavai ma le punavai ma le voltage i le va o le D ma le S e le fausia ai se taimi i le va o le D ma le S. .
Pe a faʻaopoopoina le voltage gate, pe a fai 0 <VGS <VGS(th), e ala i le eletise eletise capacitive na fausia i le va o le faitotoa ma le substrate, o pu polyon i le P-type semiconductor latalata i le pito i lalo o le faitotoa o loʻo faʻafefe i lalo, ma e aliali mai se vaega fa'aitiitiga manifinifi o ion leaga; i le taimi lava e tasi, o le a tosina atu ai le oligons i totonu e agai atu i luga o le laulau, ae o le numera e faatapulaaina ma le lava e fausia ai se auala conductive e fesootai le alavai ma le puna, o lea e le lava i le Fausiaina o alavai ID nei. faaopoopo atili VGS, pe a VGS > VGS (th) (VGS (th) ua taʻua o le liliu-i voltage), ona o le taimi lea sa fai si malosi o le faitotoa voltage, i le P-ituaiga semiconductor luga layer latalata i le pito i lalo o le faitotoa i lalo o le faapotopotoina o le tele. electrons, e mafai ona e faia se alavai, alavai ma le puna o fesootaiga. Afai e faaopoopo le alavai alavai voltage i le taimi nei, e mafai ona fausia le alavai i le taimi nei ID. electrons i le auala conductive faia i lalo o le faitotoa, ona o le pu e feaveai ma le P-ituaiga semiconductor polarity o le faafeagai, o lea ua taʻua anti-ituaiga layer. A'o fa'aauau pea le fa'atupulaia o le VGS, o le a fa'aauau pea ona fa'ateleina le ID. ID = 0 i le VGS = 0V, ma o le alavai o loʻo i ai nei e tupu pe a uma le VGS> VGS (th), o lea, o lenei ituaiga MOSFET e taʻua o le MOSFET faʻaleleia.
O le sootaga pulea o le VGS i luga o le alavai i le taimi nei e mafai ona faamatalaina e le curve iD = f(VGS(th))|VDS=const, lea e taʻua o le fesiitaiga curve uiga, ma le tele o le malifa o le fesiitaiga curve uiga, gm, e atagia ai le pulea o alavai i le taimi nei e ala i le alavai puna. o le tele o le gm o le mA/V, o lea ua taʻua ai le gm o le transconductance.
Taimi meli: Au-04-2024
