MalosiagaMOSFET O lo'o i ai se feso'ota'iga e aofia ai le vasega o voedingsapparaten, "MOSFET" o le "Metal Oxide Semicoductor Field Effect Transistor". O le upu e mafai ona fa'aaogaina, o le faitoto'a o le faitoto'a o le fa'ameamea, o le SiO2 o le SiN i le afageleidermaterialen gemaakt van drie grondstoffen. Om het duidelijk te zeggen, macht MOSFET betekent dat het een grote werkende stroom kan output, en ze zijn inedeeld in vele manieren, waarin in de functie van verliesniveau kan worden onderverdeeld in verbeterde type en licht depletie type, volgenkantie type, volgenkantie type. Ituaiga N-kanaal i le ituaiga P-kanaal.
Malosiaga MOSFET upu i luga o algemeen gebruikt voor schakelende voedingscircuits. Over het algemeen kiezenMOSFET-fabrikanten de parameter RDS(ON) o le aan-uitkarakteristieke impedantie te definiëren; O le RDS(ON) o lo'o fa'atauva'a fa'atasi ma mea fa'apitoa mo le FET-toepassingen. Fa'amatalaga Fa'amatalaga Fa'amatalaga fa'amalamalamaga RDS(ON) i le feso'ota'iga i le va'aiga o le faitoto'a, VGS, i le faitoto'a o le va'aiga, ma le RDS(ON) e feso'ota'i fa'atatau i le va'aiga o le va'aiga o le ta'avale faitoto'a.
Als een MOSFET-fabrikant een schakelende voeding wil ontwikkelen met minimale ontwerpspecificaties en kosten, is een lage uitschakelkarakteristieke impedantie een must. O lea la, e mafai ona e maua le avanoa e maua mai ai i le taimi nei.MOSFET's parallel laten werken en moeten meerdere apparaten worden gebruikt om de stroom naar de belasting te leiden. I veel gevallen moeten ontwerpers de MOSFET's in serie schakelen zodat de RDS(ON) redelijk kan worden gereduceerd.
O le RDS(ON), i le faagasologa o le filifilia o le MOSFET, e mafai ona e filifilia ni fa'asologa o le MOSFET e fa'atatau i le fa'atonuga o tagata faigaluega. I le taimi nei, na maua ai e le aufaipisinisi le ata o le SOA-grafiek i le Taiala Fa'amatalaga Fa'amatalaga, e mafai ona fa'afeso'ota'i le potu fa'alēvai ma alavai-bronn bedrijfsspanning beschrijft. Voor het grootste deel definieert SOA de voedingsspanning en stroom waarbij de MOSFET veilig kan werken.
Mo ituaiga o uta o loʻo i luga, pe a uma ona faʻatusatusa (poʻo le fuaina) o le tele o le voluma galue, ona tuʻu ai lea o le 20% i le 30%, e mafai ona e faʻamaonia le taua o le VDS o loʻo iai nei o le MOSFET. O iinei e tatau ona fai atu e faapea, ina ia sili atu le malosi tau ma uiga lamolemole, e mafai ona filifili i le faasologa o loo i ai nei AC diodes ma inductors i le tapunia o le tuufaatasiga o le matasele pulea o loo i ai nei, faamatuu atu mai le inductive malosi kinetic i le taimi nei e faatumauina le MOSFET. fa'atatau i le taimi nei e manino, o le taimi nei e mafai ona toesea. Ae o iinei e tatau ona amanaia ni vaega se lua: o le tasi o le tau o le taimi nei i le faagaioiina pea ma le maualuga o le tau o le pulupulu tasi o loʻo i ai nei spike (Spike and Surge), o nei taʻiala e lua e filifili pe o le a le tele e tatau ona e filifilia le tau faʻatatau o le tau o lo'o iai nei.
Taimi meli: Me-28-2024
