1, MOSFETfolasaga
FieldEffect Transistor faapuupuuga (FET)) igoa MOSFET. e se numera itiiti o ave e auai i le vevela conduction, e lauiloa foi o le tele-pole transistor. E a'afia i le fa'atonuga eletise ituaiga semi-superconductor mechanism. O loʻo i ai le maualuga o le teteʻe (10 ^ 8 ~ 10 ^ 9Ω), maualalo le pisa, maualalo le faʻaaogaina o le eletise, faʻaogaina tulaga, faigofie ona tuʻufaʻatasia, leai se faʻalavelave faʻafuaseʻi lona lua, o le inisiua o le sami lautele ma isi mea lelei, ua suia nei. o le bipolar transistor ma le power junction transistor o le au galulue malosi.
2, uiga MOSFET
1, MOSFET o se masini e pulea voltage, e ala i le VGS (gate source voltage) pulea ID (vai DC);
2, MOSFET'se laʻititi le pou DC, o lea e tele le teteʻe o le gaosiga.
3, o le faʻaaogaina o se numera laʻititi o ave e faʻatautaia le vevela, o lea e sili atu lona faʻamautu;
4, e aofia ai le ala faʻaitiitiga o le faʻaitiitiga faʻaitiitiga eletise e laʻititi nai lo le triode e aofia ai le faʻaitiitia o le faʻaitiitiga o le faʻaitiitiga;
5, MOSFET anti-irradiation gafatia;
6, ona o le leai o se gaioiga sese o le oligon dispersion e mafua mai i vaega taape o le pisa, o lea e maualalo ai le pisa.
3、MOSFET mataupu faavae galuega
MOSFET'smataupu faavae faagaoioia i se fuaiupu e tasi, o le "vaivai - puna i le va o le ID tafe atu i le ala mo le faitotoa ma le alalaupapa i le va o le pn junction faia e le faaituau tua o le faitotoa voltage matai ID", ia saʻo, ID tafe i le lautele. o le ala, o lona uiga, o le alalaupapa fa'a'ese'ese vaega, o le suiga i le fa'aituau fa'aituau o le pn junction, lea e maua mai ai se fa'aitiitiga vaega Le mafua'aga mo le fa'alauteleina o le fa'atonutonuina o fesuiaiga. I totonu o le sami e le tumu o VGS = 0, talu ai e le tele tele le faʻalauteleina o le suiga o le laulau, e tusa ai ma le faʻaopoopoga o le maneta o le VDS i le va o le alavai-puna, o nisi eletise i le sami puna e toso ese e le alavai, o lona uiga, o loo i ai se gaoioiga DC ID mai le alavai i le puna. O le fa'alava fa'atele ua fa'ateteleina mai le faitoto'a e o'o atu i le alavai ua fa'atupuina ai le tino atoa o le alavai o se ituaiga poloka poloka, ID ua tumu. Fa'aigoa le fomu lenei o se fa'aputu. Fa'ailogaina o le fa'asolo atu i luga o le alalaupapa o se fa'alavelave atoa, nai lo le DC ua motusia.
Talu ai e leai se gaioiga saoloto o electrons ma pu i le tulaga suiga, e toetoe lava a insulating meatotino i le tulaga lelei, ma e faigata mo le taimi nei lautele e tafe. Ae o le fanua eletise i le va o le alavai - puna, o le mea moni, o le lua suiga layer faafesootai alavai ma faitotoa pou latalata i le vaega pito i lalo, ona o le tafega eletise toso le eletise maualuga-saosaoa e ala i le tulaga suiga. O le malosi o le faʻafefe o le fanua e toetoe lava a faʻaalia pea le atoaga o le vaaiga ID.
E fa'aogaina e le matagaluega se tu'ufa'atasiga o le MOSFET fa'alelei P-ala ma le MOSFET fa'aleleia N-ala. A maualalo le faʻaoga, o le P-channel MOSFET e faʻatautaia ma o le gaioiga e fesoʻotaʻi atu i le tulaga lelei o le sapalai eletise. A maualuga le fa'aoga, ole N-channel MOSFET e fa'atautaia ma fa'afeso'ota'i le gaosiga i le eletise. I lenei ta'amilosaga, o le P-channel MOSFET ma le N-channel MOSFET o lo'o fa'agaoioia i setete fa'afeagai, fa'atasi ai ma a latou vaega fa'aoga ma galuega fa'atino.
Taimi meli: Apr-30-2024