O le ta'iala galue a le MOSFET e fa'avae i luga o ona tulaga fa'apitoa fa'atulagaina ma a'afiaga eletise. O loʻo taua i lalo se faʻamatalaga auiliili o le auala e galue ai MOSFET:
I. Fa'avae faavae ole MOSFET
O le MOSFET e aofia ai le faitotoa (G), o le puna (S), o le alavai (D), ma le mea'ai (B, o nisi taimi e fesoʻotaʻi i le puna e fausia ai se masini e tolu-terminal). I MOSFET fa'aleleia atili o le N-channel, o le mea fa'apipi'i e masani lava o se mea fa'apipi'i P-ituaiga silicon mea e lua e sili ona doped N-ituaiga itulagi e fauina e avea ma puna ma alavai, faasologa. O le pito i luga ole P-ituaiga substrate o loʻo ufiufiina i se ata manifinifi oxide (silicon dioxide) e avea o se mea faʻapipiʻi, ma o se eletise e tosoina e pei o le faitotoa. O lenei fausaga e fa'amama ai le faitoto'a mai le P-type semiconductor substrate, le alavai ma le puna, ma o le mea lea e ta'ua ai foi o le fa'au'u aafiaga fanua insulated-gate.
II. Mataupu faavae o le faagaoioiga
MOSFETs e fa'agaoioia i le fa'aogaina o le gate source voltage (VGS) e pulea ai le alavai (ID). Aemaise lava, pe a faʻaaogaina le eletise eletise eletise, VGS, e sili atu nai lo le zero, o le a faʻaalia se eletise eletise pito i luga ma lalo ifo i luga o le oxide layer i lalo ole faitotoa. O lenei eletise eletise e tosina mai ai eletonika saoloto i le P-itulagi, ma mafua ai ona faʻaputuina i lalo o le oxide layer, aʻo faʻafefeina pu i le P-region. Aʻo faʻateleina le VGS, faʻateleina le malosi o le eletise eletise ma faʻateleina le faʻaogaina o le faʻaogaina o eletise saoloto. A oʻo atu le VGS i se laina eletise (VT), o le faʻaogaina o electrons saoloto e aoina i totonu o le itulagi e lava le tele e fausia ai se itulagi N-ituaiga fou (N-channel), lea e galue e pei o se alalaupapa e fesoʻotaʻi ai le alavai ma le puna. I le taimi lea, afai o loʻo i ai se eletise eletise (VDS) i le va o le alavai ma le puna, e amata ona tafe le ID o loʻo iai nei.
III. Fa'avaeina ma le suiga ole auala fa'ata'ita'i
O le faʻavaeina o le auala faʻatautaia o le ki lea i le faʻaogaina o le MOSFET. A sili atu le VGS nai lo le VT, e faʻavaeina le ala taʻavale ma le faʻafefe ID o loʻo i ai nei e aʻafia e le VGS ma le VDS. e taua le maitauina afai e le o faʻamautu le ala taʻavale (faʻataʻitaʻiga, VGS e laʻititi nai lo le VT), e tusa lava pe iai le VDS, e le faʻaalia le ID o loʻo iai nei.
IV. Uiga o MOSFET
Fa'asao maualuga i totonu:O le faʻaogaina o le faʻaogaina o le MOSFET e maualuga tele, latalata i le le gata, aua o loʻo i ai se faʻamaufaʻailoga i le va o le faitotoʻa ma le puna-vaivai ma na o se faitotoa vaivai o loʻo i ai nei.
E maualalo le fa'alavelave fa'alavelave:MOSFETs o masini e pulea-voltage lea e mafai ai ona sui le alavai-vaivai i le eletise ulufale, o lea e laʻititi la latou faʻalavelave.
tafega faifai pea:Pe a faʻaogaina i totonu o le saturation itulagi, o le taimi nei o le MOSFET e toetoe lava a le afaina i suiga i le puna-vaivai voltage, e maua ai le lelei tele o le taimi nei.
Mau lelei le vevela:Ole MOSFET e iai le lautele ole vevela ole fa'agaioiga mai le -55°C i le tusa ma le +150°C.
V. Talosaga ma fa'avasegaga
MOSFETs o loʻo faʻaaogaina lautele i masini numera, faʻataʻitaʻiga faʻataʻitaʻiga, eletise eletise ma isi fanua. E tusa ai ma le ituaiga o gaioiga, e mafai ona faʻavasegaina MOSFET i ituaiga faʻaleleia ma faʻaititia; e tusa ai ma le ituaiga o auala taʻavale, e mafai ona faʻavasegaina i le N-channel ma le P-channel. O nei ituaiga MOSFET eseese e iai a latou lava tulaga lelei i faʻataʻitaʻiga faʻaoga eseese.
I se aotelega, o le taʻiala galue a le MOSFET o le faʻatonutonuina lea o le faʻatulagaina ma le suiga o le ala taʻavale e ala i le alavai o le faitotoa, lea e pulea ai le tafe o le alavai. O le maualuga o le faʻaogaina o le faʻaogaina, le maualalo o le faʻaogaina o le gaosiga, le tumau o le taimi nei ma le faʻamautuina o le vevela e avea ai MOSFET ma vaega taua i taʻavale eletise.
Taimi meli: Sep-25-2024
