Field Effect Transistor fa'apu'upu'u ileMOSFET.E lua ituaiga autu: junction fanua aafiaga tubes ma uamea-oxide semiconductor fanua aafiaga tubes. O le MOSFET ua lauiloa foi o se unipolar transistor ma le tele o ave taavale o loʻo aʻafia i le conductivity. O mea ia o masini semiconductor e pulea voltage. Ona o le maualuga o le tete'e i totonu, maualalo le pisapisao, maualalo le fa'aaogaina o le eletise, ma isi uiga, ma avea ai ma se tauva malosi i transistors bipolar ma transistors mana.
I. Fa'asologa autu o le MOSFET
1, DC tapula'a
E mafai ona faauigaina le alavai o le vai e pei o le alavai e fetaui i le taimi e tutusa ai le voli i le va o le faitotoa ma le puna ma le eletise i le va o le alavai ma le puna e sili atu nai lo le eletise.
Pinch-off voltage UP: O le UGS e manaʻomia e faʻaitiitia ai le ID i se laʻititi laʻititi pe a mautinoa le UDS;
Toe fa'aola UT: UGS mana'omia e aumai ID i se tau fa'apitoa pe a mautinoa le UDS.
2, AC Parameter
Fa'ase'e fa'alava maualalo gm : Fa'amatala le aafiaga fa'atonutonu ole faitoto'a ma le puna alavai ile alavai.
Inter-pole capacitance: o le gafatia i le va o electrodes e tolu o le MOSFET, o le laʻititi o le tau, o le sili atu lea o le faʻatinoga.
3、Fa'agata tapula'a
Fa'avai, alavai malepe puna: pe a oso maualuga le alavai, o le a maua ai le avalanche malepe pe a UDS.
Faitotoa malepe voltage: feso'ota'iga fanua aafiaga faagaau galuega masani, faitotoa ma puna i le va o le PN junction i le tulaga fa'aituau faafeagai, o le taimi nei e tele tele e maua ai malepe.
II. Uiga oMOSFETs
MOSFET o loʻo i ai se galuega faʻalauteleina ma e mafai ona faʻatupuina se matagaluega faʻateleina. Pe a faatusatusa i se triode, e iai uiga nei.
(1) O le MOSFET o se masini e pulea le voltage, ma o le gafatia e pulea e le UGS;
(2) O le taimi nei o loʻo i totonu o le MOSFET e matua laʻititi lava, o lona uiga e maualuga tele lona teteʻe;
(3) E lelei le mautu o le vevela ona e fa'aogaina ai le tele o felauaiga mo le fa'aosoina;
(4) E laʻititi le aofaʻi o le faʻateleina o le eletise o lona faʻalavelave faʻateleina nai lo le triode;
(5) E sili atu ona tetee atu i faʻavevela.
Tulaga tolu,MOSFET ma fa'atusatusaga transistor
(1) MOSFET puna, faitotoa, alavai ma triode puna, faavae, seti pou pou e fetaui ma le matafaioi a tutusa.
(2) MOSFET o se masini eletise-pulea i le taimi nei, e laʻititi le aofaʻi o le faʻaopoopoga, e le lelei le malosi o le faʻalauteleina; triode o se masini eletise e pulea i le taimi nei, e malosi le malosi o le amplification.
(3) O le faitotoa MOSFET e matua'i le fa'aogaina; ma galuega triode, o le faavae o le a mitiia se taimi patino. O le mea lea, o le MOSFET gate input resistance e maualuga atu nai lo le triode input resistance.
(4) O le faʻagasologa o le MOSFET o loʻo i ai le auai o le polytron, ma o le triode o loʻo i ai le auai o ituaiga e lua, polytron ma oligotron, ma o lona faʻaogaina o le oligotron e matua aʻafia i le vevela, radiation ma isi mea, o le mea lea, MOSFET e sili atu le mautu o le vevela ma le faʻamalositino faʻamalosi nai lo le transistor. E tatau ona filifilia le MOSFET pe a tele suiga o le siosiomaga.
(5) Pe a faʻafesoʻotaʻi le MOSFET i le uʻamea puna ma le mea faʻapipiʻi, e mafai ona fesuiaʻi le punavai ma le alavai ma e le suia tele uiga, ae pe a fesuiaʻi le aoina ma le emitter o le transistor, e eseese uiga ma le tau β. ua faaitiitia.
(6) O le pisa o le MOSFET e laʻititi.
(7) MOSFET ma le triode e mafai ona aofia ai le tele o taʻavale faʻamalosi ma fesuiaʻi taʻavale, ae o le mea muamua e faʻaitiitia ai le mana, maualuga le mautu o le vevela, lautele o le sapalai voltage, o lea e faʻaaogaina lautele i le tele-tele ma ultra-large- fua fa'atasi feso'ota'iga.
(8) O le on-resistance o le triode e tele, ma o le on-resistance o le MOSFET e laʻititi, o lea e masani ona faʻaaogaina MOSFET e fai ma sui e sili atu le lelei.
Taimi meli: Me-16-2024
