Metal-Oxide-SemIConductor fausaga o le transistor tioata e masani ona lauiloa oMOSFET, lea e vaevaeina ai MOSFET i P-ituaiga MOSFETs ma N-ituaiga MOSFETs. O ta'aloga tu'ufa'atasi e aofia ai MOSFET e ta'ua fo'i MOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga, ma feso'ota'iga vavalalata MOSFET feso'ota'iga fa'atasi e aofia ai PMOSFET maNMOSFETs e ta'ua o CMOSFET integrated circuits.
O se MOSFET o loʻo i ai se mea faʻapipiʻi p-ituaiga ma lua n-faʻasalalau nofoaga ma maualuga faʻatonuga taua e taʻua o le-n-channel.MOSFET, ma o le ala taʻavale e mafua mai i se auala faʻataʻitaʻiga n-ituaiga e mafua mai i auala faʻasalalau-n i auala e lua e faʻasalalau ai ma le maualuga o le faʻatonuga pe a faʻatautaia le paipa. MOSFET m-fa'asalaina n-alāvai o loʻo i ai le ala-n e mafua mai i se ala faʻauluina pe a faʻatupulaʻia se faʻaituau faʻaituau lelei i le tele e mafai ai i le faitotoʻa ma e naʻo le taimi e manaʻomia ai e le faʻaogaina o le faitotoʻa se voltage galue e sili atu i le voltage paepae. n-channel depletion MOSFETs o i latou ia e le o sauni i le volt o le faitotoa (o le faʻaogaina o le faitotoa e manaʻomia ai le eletise galue ole zero). O le MOSFET ua mou atu le malamalama o le n-auala o le MOSFET lea e mafua ai le ala taʻavale pe a le saunia le alavai (o le mea e manaʻomia ai le faʻaogaina o le faitotoa e leai se mea).
NMOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga o le N-channel MOSFET eletise eletise, NMOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga, o le fa'aogaina o mea e matua maualuga lava, o le to'atele e le mana'omia le fa'afefeteina o le fa'aogaina o le eletise, ma fa'apea CMOSFET ma NMOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga e aunoa ma le fa'aaogaina. fa'amatalaga le uta o le eletise. 9V mo nisi mea. CMOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga na'o mana'omia le fa'aoga tutusa o le fa'aliliuina o le paoa fa'apipi'i eletise eletise e pei o le NMOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga, e mafai ona feso'ota'i ma NMOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga vave. Ae ui i lea, mai le NMOSFET i le CMOSFET vave feso'ota'i, ona o le NMOSFET output toso i luga tete'e e la'ititi nai lo le CMOSFET feso'ota'iga feso'ota'iga ki'i toso i luga tete'e, o lea taumafai e fa'aoga se eseesega e mafai ona toso-i luga tetee R, o le tau o le tetee R o masani 2 i le 100KΩ.
Fausiaina o MOSFET mafiafia ala-N
I luga o le P-type silicon substrate e maualalo le tau o le doping concentration, e lua N eria e maualuga le tau o le doping o loʻo faia, ma lua eletise e tosoina mai le alumini uamea e fai ma alavai d ma le puna s, i le faasologa.
Ona i totonu o le vaega semiconductor luga masking se vaega matua manifinifi o le silica insulating tube, i le alavai - puna insulating tube i le va o le alavai ma le puna o se isi electrode alumini, e pei o le faitotoa g.
I totonu o le substrate e taʻitaʻia ai foi se eletise B, lea e aofia ai le MOSFET mafiafia N-auala. MOSFET puna ma substrate e masani ona fesoʻotaʻi faʻatasi, o le tele o le paipa i totonu o le falegaosimea ua leva ona fesoʻotaʻi i ai, o lona faitotoʻa ma isi eletise o loʻo faʻaogaina i le va o le pusa.
Taimi meli: Me-26-2024
