O itulagi e fa o se MOSFET faʻaleleia N-auala
(1) Itulagi tetee fesuisuia'i (e ta'ua fo'i le itulagi e le'i tumu)
Ucs" Ucs (th) (turn-on voltage), uDs" UGs-Ucs (th), o le itulagi lea i le itu agavale o le faʻailoga muamua i le ata o loʻo ki ai le alalaupapa. O le tau o UDs e laʻititi i lenei itulagi, ma o le auala e teteʻe ai e naʻo UG e pulea. A mautinoa uGs, ip ma uDs i se sootaga laina, o le itulagi e fa'atatauina o se seti o laina sa'o. I le taimi nei, o le fanua aafiaga tube D, S i le va o le tutusa o se voltage UGS
Puleaina e le voltage UGS fesuiaiga tetee.
(2) itulagi faifai pea (lea e lauiloa o le saturation region, amplification region, active region)
Ucs ≥ Ucs (h) ma Ubs ≥ UcsUssth), mo le ata o le itu taumatau o le muai pine ese le ala, ae leʻi talepeina i lalo i le itulagi, i le itulagi, pe a tatau ona i ai le uGs, ib toetoe lava a leai. suiga ma le UDs, o se uiga faifai pea-i le taimi nei. i na'o le UGs e pulea, ona tutusa lea o le MOSFETD, S ma le voltage uGs e pulea le puna o lo'o iai nei. MOSFET o loʻo faʻaaogaina i faʻasalalauga faʻalautele, masani i luga o le galuega a le MOSFET D, S e tutusa ma le voltage uGs e pulea le puna o loʻo iai nei. MOSFET faʻaaogaina i faʻasalalauga faʻalautele, e masani ona galue i totonu o le itulagi, e faʻapea foi ona taʻua o le faʻalauteleina o vaega.
(3) Vaega e tipi (e ta'ua foi o le vaega e tipi ese)
O le vaega ua tipi (lea ua ta'ua o le vaega tipi) e fetaui ma le ucs "Ues (th) mo le ata e lata ane i le itu faalava o le itulagi, o le alalaupapa ua tapunia uma, ua ta'ua o le kilipa atoa, io = 0 , e le aoga le paipa.
(4) nofoaga malepe sone
O le itulagi malepelepe o lo'o i totonu o le itulagi i le itu taumatau o le ata. Faatasi ai ma le faateleina o le UDs, o le PN junction o loʻo aʻafia i le tele o voltage faʻafefe ma malepelepe, faʻateleina le ip. O le paipa e tatau ona faagaoioia ina ia aloese mai le faagaoioia i le itulagi malepelepe. O le fa'aliliuga uiga pi'opi'o e mafai ona maua mai le fa'asologa o uiga o galuega. I luga o le auala na faʻaaogaina o se kalafi e suʻe ai. Mo se faʻataʻitaʻiga, i le Ata 3 (a) mo Ubs = 6V laina tuʻusaʻo, o lona fesoʻotaʻiga ma pupuni eseese e fetaui ma le i, Uss tau i le ib- Uss faʻamaopoopo fesoʻotaʻi i le pupuni, o lona uiga, e maua ai le faʻafeiloaʻiga uiga faʻafefe.
Parameter oMOSFET
E tele ta'iala o le MOSFET, e aofia ai DC fa'amaufa'ailoga, AC ma fa'atapula'aina tapula'a, ae na'o vaega autu nei e tatau ona popole i le fa'aoga masani: tumu alavai-puna o lo'o i ai nei IDSS pinch-off voltage Up, (tulaga-ituaiga tubes ma le fa'aitiitia. -ituaiga insulated-faitotoa tubes, po o le liliu-i luga o le voltage UT (faamalosia insulated-faitotoa tubes), trans-conductance gm, leakage-puna malepelepe voltage BUDS, le malosi sili ona lafoaia PDSM, ma alavai aupito maualuga i le taimi nei IDSM.
(1) Fa'asusu alavai
Ole IDSS ole alavai tumu ile taimi nei ole alavai ile taimi nei ile so'oga po'o le fa'aiti'itia ituaiga faitoto'a fa'amama ole MOSFET pe a ole gate voltage UGS = 0.
(2) Kipe-pepe le voltage
O le fa'aputu-off voltage UP o le faitoto'a voltage i totonu o se fa'agata-ituaiga po'o le fa'aitiitiga-ituaiga insulated-gate MOSFET e na'o le motusia i le va o le alavai ma le puna. E pei ona faʻaalia i le 4-25 mo le N-channel tube UGS a ID curve, e mafai ona malamalama e vaʻai i le taua o le IDSS ma le UP.
MOSFET fa itulagi
(3) Fa'aola eletise
Ole UT ole eletise ole faitotoa ole faitotoa ole MOSFET ua fa'amalosia e fa'aoso ai le vai-vaivai-puna.
(4) Transconductance
O le transconductance gm o le pulea gafatia o le faitotoa puna voltage UGS i luga o le alavai ID nei, o lona uiga, o le fua faatatau o le suiga i le alavai ID nei i le suiga i le faitotoa puna voltage UGS. 9m o se parakalafa taua e fuaina le gafatia faʻalauteleina o leMOSFET.
(5) Fa'amama le alavai malepe
Fa'avai puna malepe voltage BUDS e faasino i le faitotoa puna voltage UGS mautinoa, MOSFET faagaoioiga masani e mafai ona talia le maualuga alavai puna voltage. Ole fa'atapula'a fa'atapula'a lea, fa'aopoopo i le MOSFET e fa'agaoioi le voltage e tatau ona la'ititi ifo i le BUDS.
(6) Fa'amama le Malosi maualuga
Ole tele ole fa'amamafa ole malosi ole PDSM ole fa'atapula'a fa'atapula'a, e fa'asino ileMOSFETe le fa'aleagaina le fa'atinoga pe'ā fa'ataga le fa'agata fa'apogai o le mana. Pe a fa'aogaina le MOSFET, e tatau ona la'ititi le mana fa'aaoga i lo le PDSM ma tu'u ai se vaega fa'apitoa.
(7) Fa'asa'o Maualuluga Fa'avai
Ole maualuga ole leakage IDSM o loʻo i ai nei o se isi tapulaʻa faʻatapulaʻa, e faʻatatau i le faʻaogaina masani o le MOSFET, o le puna o le leakage o le maualuga o loʻo faʻatagaina e pasia le MOSFET o loʻo galue i le taimi nei e le tatau ona sili atu i le IDSM.
MOSFET Ta'iala Fa'atino
O le taʻiala faʻaogaina o le MOSFET (N-channel enhancement MOSFET) o le faʻaaogaina lea o le VGS e pulea ai le aofaʻi o le "totogi faʻamalosi", ina ia mafai ai ona suia le tulaga o le ala taʻavale na faia e nei "tauavega faʻapitoa", ona ausia lea o le faʻamoemoe. o le pulea o le alavai. O le fa'amoemoe o le fa'atonutonuina o le alavai. I le gaosiga o paipa, e ala i le faagasologa o le faia o se numera tele o ion lelei i totonu o le insulating layer, o lea i le isi itu o le atinaʻe e mafai ona faʻaosoina le tele o tau le lelei, o nei tau le lelei e mafai ona faʻaosoina.
Pe a suia le voltage o le faitotoa, e suia foi le aofaʻi o le tau faʻaosoina i totonu o le alalaupapa, o le lautele o le auala conductive e suia foi, ma o lea e suia ai le ID o loʻo iai nei ma le voltage gate.
MOSFET matafaioi
I. MOSFET e mafai ona faʻaogaina i le faʻalauteleina. Ona o le maualuga o le faʻaogaina o le MOSFET amplifier, e mafai ona laʻititi le gafatia o le soʻotaga, e aunoa ma le faʻaogaina o le eletise eletise.
Lona lua, o le maualuga o le faʻaogaina o le MOSFET e fetaui lelei mo le liua o le impedance. E masani ona fa'aogaina i le tele-laasaga fa'apipi'i fa'apipi'i tulaga mo le liua impedance.
MOSFET e mafai ona faʻaaogaina e avea o se mea faʻafefete.
Lona fa, MOSFET e mafai ona faigofie ona faʻaaogaina e avea o se punavai o loʻo iai nei.
Lona lima, MOSFET e mafai ona faʻaaogaina e fai ma sui eletise.
Taimi meli: Apr-12-2024