O se afifi leaMOSFETpyroelectric infrared sensor. O le faavaa faatafafa o le faamalama lagona. O le pine G o le pito i lalo o le eleele, o le pine D o le alavai MOSFET totonu, ma le S pine o le puna MOSFET totonu. I totonu o le matagaluega, e fesoʻotaʻi le G i le eleele, D e fesoʻotaʻi atu i le eletise lelei, faʻailoga infrared o loʻo tuʻuina mai le faamalama, ma faʻailoga eletise e maua mai le S.
Faitotoa o le faamasinoga G
O le aveta'avale MOS e masani lava ona faia le sao o le faʻaleleia o le galu ma le faʻaleleia atili o le avetaavale:MOSFETe le lava tifato, o le a mafua ai le tele o le paoa gau i le taimi o suiga tulaga. O lona itu a'afiaga o le fa'aitiitia lea o le fa'aliliuina o le matagaluega. Ole MOSFET ole a maua ile fiva malosi ma faigofie ona afaina ile vevela. O loʻo i ai se malosi faʻapitoa i le va o MOSFETGS. , pe afai e le lava le gafatia o le avetaʻavale a le G, o le a matua aʻafia ai le taimi osooso galu.
Pu'upu'u le pou GS, filifili le R × 1 maualuga o le multimeter, fa'afeso'ota'i le ta'ita'i su'esu'e uliuli ile pou S, ma le su'ega mumu ta'ita'i ile pou D. O le tetee e tatau ona itiiti Ω i le sili atu i le sefulu Ω. Afai e maua o le tetee o se pine faapitoa ma ona pine e lua e le iʻu, ma e le iʻu lava pe a uma ona fesuiaʻi taʻitaʻi suʻega, ua faʻamaonia o lenei pine o le G pole, aua e faʻafefe mai isi pine e lua.
Su'e le puna S ma fa'afefe D
Seti le multimeter i le R × 1k ma fua le tetee i le va o pine e tolu. Fa'aaoga le su'ega su'ega ta'ita'i metotia e fua faalua ai le tete'e. O le tasi e maualalo le tau tetee (e masani lava o nai afe Ω i le sili atu i le sefulu afe Ω) o le tetee i luma. I le taimi nei, o le su'ega uliuli ta'ita'i o le S pole ma le mumu su'ega ta'ita'i e feso'ota'i ma le D pole. Ona o tulaga eseese o su'ega, o le fuaina o le RDS(on) e maualuga atu nai lo le tau masani o lo'o tu'uina atu i le tusi lesona.
E uiga iMOSFET
O le transistor e iai le auala N-ituaiga lea e taʻua o le N-channelMOSFET, peNMOS. O lo'o iai fo'i le P-channel MOS (PMOS) FET, o le PMOSFET o lo'o fa'apipi'iina ile N-type BACKGATE ma le P-ituaiga puna ma alavai.
Po o le a lava le N-ituaiga poʻo le P-ituaiga MOSFET, o lona faʻavae galue e matua tutusa lava. E pulea e le MOSFET le taimi nei i le alavai o le mea e maua ai le eletise e ala i le eletise e faʻaogaina i le faitotoʻa o le laina faʻaoga. MOSFET ose masini e pulea-voltage. E pulea uiga o le masini e ala i le voltage faʻaaogaina i le faitotoa. E le mafua ai le aafiaga o le teuina o totogi e mafua mai i le taimi nei pe a faʻaaogaina se transistor mo le fesuiaiga. O le mea lea, i le fesuiaiga o talosaga,MOSFETse tatau ona sui vave nai lo transistors.
O le FET e maua foi lona igoa mai le mea moni e faapea o lona ulufale (taʻua o le faitotoa) e aʻafia ai le taimi nei o loʻo tafe atu i totonu o le transistor e ala i le faʻapipiʻiina o se eletise eletise i luga o se mea faʻafefe. O le mea moni, e leai se taimi e tafe atu i totonu o lenei insulator, o lea o le GATE o loʻo i ai nei o le paipa FET e laʻititi lava.
O le FET sili ona taatele e faʻaaogaina se vaega manifinifi o le silicon dioxide e fai ma mea faʻapipiʻi i lalo ole GATE.
O lea ituaiga transistor e ta'ua o le u'amea oxide semiconductor (MOS) transistor, po'o le, metal oxide semiconductor field effect transistor (MOSFET). Ona o MOSFET e laʻititi ma sili atu le malosi, ua latou suia ai le bipolar transistors i le tele o talosaga.
Taimi meli: Nov-10-2023
