E tele ituaiga oMOSFETs, e masani ona vaevaeina i MOSFET faʻatasi ma MOSFET faitotoʻa faʻamaʻi e lua vaega, ma e tofu uma ma N-channel ma P-channel points.
Metal-Oxide-Semiconductor Field-Affect Transistor, e taʻua o le MOSFET, ua vaevaeina i le faʻaleagaina ituaiga MOSFET ma le faʻaleleia o le MOSFET.
MOSFET ua vaevaeina foi i le tasi-faitotoa ma lua-faitotoa paipa. Lua-faitotoa MOSFET e lua faitotoa tutoatasi G1 ma le G2, mai le fausiaina o le tutusa o le lua faitotoa tasi MOSFETs fesootai i le faasologa, ma lona gaosiga o suiga i le taimi nei e le lua faitotoa voltage pulea. O lenei uiga o MOSFETs lua-faitotoa e aumaia ai le faʻaoga lelei pe a faʻaaogaina e fai ma faʻasalalauga maualuga, maua faʻamalosi faʻamalosi, faʻafefiloi ma demodulators.
1, MOSFETituaiga ma fausaga
MOSFET o se ituaiga FET (o le isi ituaiga o le JFET), e mafai ona gaosia i le faʻaleleia poʻo le faʻaitiitia o le ituaiga, P-channel poʻo le N-channel i le aofaʻi o ituaiga e fa, ae o le faʻaaogaina o le faʻaaogaina o le na o le faʻaleleia o le N-channel MOSFET ma le faʻaleleia P- auala MOSFET, e masani ona taʻua o le NMOS, poʻo le PMOS e faʻatatau i nei ituaiga e lua. Ae mo le mafuaʻaga e le faʻaaogaina ai MOSFET ituaiga faʻamaʻi, aua le fautuaina le suʻesuʻeina o le aʻa mafuaʻaga. E tusa ai ma le MOSFET faʻaleleia e lua, o le tele e masani ona faʻaaogaina o le NMOS, o le mafuaʻaga ona o le on-resistance e laʻititi, ma faigofie ona gaosia. O lea la, o le fesuia'iina o le eletise ma le ta'avale afi, e masani ona fa'aaoga le NMOS. le upusii o loʻo mulimuli mai, ae faʻapea foʻi le tele o NMOS-faʻavae. tolu pine o le MOSFET parasitic capacitance o loʻo i ai i le va o pine e tolu, e le o tatou manaʻoga, ae ona o le faʻatapulaʻaina o le gaosiga. O le i ai o le parasitic capacitance i le mamanu poʻo le filifilia o le taʻavale taʻavale e faʻapolopolo sina taimi, ae leai se auala e aloese ai, ma faʻamatalaga auiliili. I le ata MOSFET schematic e mafai ona vaaia, le alavai ma le puna i le va o se diode parasitic. E ta'ua lea mea o le diode tino, i le aveina o uta fa'atatau, e taua tele lenei diode. I le auala, o le diode tino e na'o le MOSFET e tasi, e masani lava e le o totonu o le va'a fa'atasi.
2, uiga fa'aosoina MOSFET
O le taua o le conduction e pei o se ki, e tutusa ma se ki tapuni. NMOS uiga, Vgs sili atu nai lo se tulaga taua o le a taitaia, talafeagai mo le faʻaaogaina i le tulaga pe a faʻavaeina le puna (maualalo-maualalo taavale), na o le faitotoa voltage taunuu. i le 4V poʻo le 10V.PMOS uiga, Vgs itiiti ifo nai lo se tulaga taua o le a faʻatautaia, talafeagai mo le faʻaaogaina i le tulaga pe a fesoʻotaʻi le puna i le VCC (maualuga maualuga).
Ae ui i lea, o le mea moni, o le PMOS e mafai ona faigofie tele ona faʻaaogaina e avea o se avetaʻavale maualuga, ae ona o le i luga o le tetee, taugata, faʻaitiitia ituaiga o fefaʻatauaiga ma isi mafuaaga, i le avetaʻavale maualuga, e masani lava ona faʻaaoga le NMOS.
3, MOSFETsuiga leiloa
Pe o le NMOS poʻo le PMOS, pe a uma ona i ai le tetee, ina ia faʻaaogaina e le taimi nei le malosi i lenei teteʻe, o lenei vaega o le malosi e faʻaaogaina e taʻua o le leiloa o le tetee. Filifilia o se MOSFET faʻatasi ma se laʻititi i luga o le tetee o le a faʻaitiitia ai le leiloa i luga ole tetee. O le MOSFET maualalo-malosi masani i luga o le tetee e masani lava i le sefulu o miliohms, nai miliohms iina. MOS i le taimi ma le tipi, e le tatau ona i ai i le vave maeʻa o le voltage i luga o le MOS o loʻo i ai se faʻagasologa o le pa'ū, o le taimi nei o loʻo tafe i se faagasologa o le siitia, i le taimi lea, o le leiloa o le MOSFET o o le oloa o le voltage ma le taimi nei ua taʻua o le gau o suiga. E masani lava o le suiga o le gau e sili atu le tele nai lo le faʻaogaina o le gau, ma o le vave o le fesuiaiga o taimi, o le tele foi lea o le gau. O se oloa tele o le voltage ma le taimi nei i le taimi lava o le faʻauluina o loʻo i ai se gau tele. Fa'apu'upu'u taimi fesuia'i e fa'aitiitia ai le gau i fa'agasolo ta'itasi; fa'aitiitiga ole fa'asuiga ole fa'aitiitiga ole aofa'i ole ki ile taimi ole iunite. O auala uma e lua e mafai ona faʻaitiitia ai le gau o le fesuiaiga.
4, ta'avale MOSFET
Pe a faatusatusa i le bipolar transistors, e masani ona manatu e leai se taimi nei e manaʻomia e fai ai le MOSFET, ae o le GS voltage e sili atu i luga o se tau. E faigofie lenei mea, peitaʻi, matou te manaʻomia foi le saoasaoa. I le fausaga o le MOSFET e mafai ona e vaʻaia o loʻo i ai se capacitance parasitic i le va o le GS, GD, ma le avetaʻavale o le MOSFET, i le talitonuga, o le faʻatonuina ma le faʻaaogaina o le gafatia. O le tauina o le capacitor e manaʻomia ai le taimi nei, ma talu ai o le faʻapipiʻiina vave o le capacitor e mafai ona vaʻaia o se taʻavale puʻupuʻu, o le a maualuga le taimi nei. Filifilia / mamanu o le MOSFET ave le mea muamua e faʻalogo i ai o le tele o le taimi faʻafuaseʻi puʻupuʻu e mafai ona tuʻuina atu. O le mea lona lua e faʻalogo i ai, e masani ona faʻaaogaina i le NMOS maualuga maualuga, i luga o le manaʻoga e sili atu le voltage o le faitotoa nai lo le voltage puna. High-end drive MOS tube conduction source voltage ma alavai voltage (VCC) tutusa, o lea o le faitotoa eletise nai lo le VCC 4V poʻo le 10V. fa'apea i le faiga lava lea e tasi, ina ia maua se voluma tele atu nai lo le VCC, matou te mana'omia se fa'alapotopotoga fa'apitoa fa'amalosi. O le tele o avetaavale afi o loʻo tuʻufaʻatasia le pamu tau, e tatau ona filifili le capacitor fafo talafeagai, ina ia lava le taimi nei puʻupuʻu e ave ai le MOSFET. 4V poʻo le 10V o loʻo taʻua i luga e masani ona faʻaaogaina MOSFET i luga ole voltage, o le mamanu o le mea moni, e manaʻomia le i ai o se vaega patino. O le maualuga o le voltage, o le televave o le saoasaoa i luga o le setete ma le maualalo o le tetee i luga o le setete. E masani lava o lo'o i ai fo'i la'ititi la'ititi la'ititi laititi MOSFET e fa'aaogaina i vaega eseese, ae i le 12V masini fa'aeletonika, 4V masani i luga o le setete ua lava.
O ta'iala autu o le MOSFET e fa'apea:
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2. liliu-i luga o le voltage VT - liliu-i luga o le voltage (fa'aigoaina fo'i o le faitoto'a voltage): fai le puna S ma alavai D i le va o le amataga o le auala conductive e aofia ai le faitotoa voltage manaomia; - fa'ata'atiaga N-channel MOSFET, VT e tusa ma le 3 ~ 6V; - a maeʻa le faʻagasologa o le faʻaleleia, e mafai ona faia le MOSFET VT tau i lalo i le 2 ~ 3V.
3. Fa'amama le malepelepe BVDS - i lalo o le tulaga o le VGS = 0 (fa'amalosia), i le fa'agasologa o le fa'atuputeleina o le alavai alavai ina ia amata ona fa'atupula'ia tele le ID pe a ta'ua le VDS o le alavai malepe eletise BVDS - ID fa'atupula'ia tele ona o vaega nei e lua:
(1) malepe o le avalanche o le vaega fa'aitiitiga i tafatafa o le alavai eletise
(2) alavai-puna i totonu-pole malepe - o nisi MOSFET laititi voltage, o lona umi alalaupapa e puupuu, mai lea taimi i lea taimi e faateleina ai le VDS o le a faia ai le vaega alavai o le vaega fa'aitiitiga mai lea taimi i lea taimi e faalautele atu i le itulagi puna. , ina ia saʻo le alalaupapa o le zero, o lona uiga, i le va o le alavai-puna o loʻo tuʻuina atu, faʻaogaina, o le puna puna o le tele o avefeʻau, o le puna puna, o le a saʻo e tatalia le faʻaitiitia o le faʻaogaina o le eletise eletise, e taunuu i le itulagi leakage, e maua ai se ID tele.
4. DC ulufale tetee RGS-o lona uiga, o le fua faatatau o le voltage faaopoopo i le va o le faitotoa puna ma le faitotoa o loo i ai nei, o lenei uiga o nisi taimi e faaalia i le tulaga o le faitotoa o loo tafe i le taimi nei i le faitotoa MOSFET's RGS mafai ona sili atu i le 1010Ω. 5.
5. low-frequency transconductance gm i le VDS mo se tau tumau o tulaga, o le microvariance o le alavai o loʻo i ai nei ma le faitotoʻa puna eletise microvariance mafua mai i lenei suiga ua taʻua o le transconductance gm, e atagia ai le pulea o le gate puna voltage i luga o le. alavai i le taimi nei o le faʻaalia lea o le faʻalauteleina o le MOSFET o se parakalafa taua, e masani lava i le va o ni nai i ni nai mA / V. O le MOSFET e faigofie ona sili atu i le 1010Ω.
Taimi meli: Me-14-2024
