Malamalama i le galuega faʻavae a le MOSFET ma faʻaoga lelei vaega eletise

O le malamalama i mataupu fa'atino a le MOSFETs (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors) e taua tele mo le fa'aogaina lelei o nei vaega eletise maualuga. MOSFET o elemene taua i masini faʻaeletoroni, ma o le malamalama ia i latou e taua mo tagata gaosi oloa.

I le faʻatinoga, o loʻo i ai tagata gaosi oloa atonu latou te le talisapaia atoatoa galuega faʻapitoa a MOSFET i le taimi o latou talosaga. Ae ui i lea, e ala i le faʻaogaina o mataupu faavae o le MOSFET i masini faʻaeletoroni ma a latou matafaioi tutusa, e mafai e se tasi ona filifilia lelei le MOSFET sili ona talafeagai, ma amanaʻia ona uiga tulaga ese ma uiga patino o le oloa. O lenei metotia e faʻaleleia ai le faʻatinoga o le oloa, faʻamalosia lona faʻatauva i le maketi.

WINSOK SOT-23-3 afifi MOSFET

MOSFET Galuega Fa'avae

Pe a leai se eletise o le faitotoa-punavai (VGS) o le MOSFET, e oo lava i le faaaogaina o se alavai-puna alavai (VDS), o loo i ai i taimi uma se PN junction i le fa'aituau fa'aituau, e mafua ai le leai o se auala conductive (ma leai se taimi nei) i le va. le alavai ma le puna o le MOSFET. I lenei setete, o le vai vai (ID) o le MOSFET e leai. O le faʻaaogaina o se voltage lelei i le va o le faitotoa ma le puna (VGS> 0) e fausia ai se eletise eletise i le SiO2 insulating layer i le va o le faitotoʻa o le MOSFET ma le silicon substrate, faʻasaga mai le faitotoa agai i le P-type silicon substrate. Tuuina atu o le oxide layer o loʻo faʻapipiʻiina, o le voltage e faʻaogaina i le faitotoa, VGS, e le mafai ona faʻatupuina se taimi i le MOSFET. Nai lo lena, e fausia ai se capacitor i luga o le oxide layer.

A'o faasolosolo malie le fa'atuputeleina o le VGS, e fa'aola le capacitor, ma fa'atupuina ai se eletise eletise. O le tosina atu i le voltage lelei i le faitotoa, e tele electrons e faʻaputuina i le isi itu o le capacitor, e fausia ai se auala faʻaulu N-ituaiga mai le alavai i le puna i le MOSFET. Pe a sili atu le VGS i le VT o loʻo vaʻaia (e masani lava ile 2V), o le N-channel o le MOSFET e faʻatautaia, e amata ai le tafe ole ID o loʻo iai nei. O le alavai-punavai e amata ai ona fai le alavai e ta'ua o le VT paepae. E ala i le puleaina o le tele o le VGS, ma o lona uiga o le eletise eletise, o le tele o le alavai ID o loʻo iai i le MOSFET e mafai ona faʻaleleia.

WINSOK DFN5x6-8 afifi MOSFET

MOSFET Talosaga

O le MOSFET e ta'uta'ua mo ona uiga fa'alelei lelei, e ta'ita'ia ai lona fa'aogaina tele i ta'amilosaga e mana'omia ai suiga fa'aeletoroni, e pei o le fa'aogaina o le eletise. I talosaga maualalo-voltage e faʻaaoga ai le eletise 5V, o le faʻaaogaina o fausaga faʻaleaganuʻu e mafua ai le pa'ū o le voltage i luga o le faʻavae-emitter o se bipolar junction transistor (e uiga i le 0.7V), e naʻo le 4.3V mo le voltage mulimuli e faʻaoga i le faitotoa o le. le MOSFET. I ia fa'aaliga, o le filifili mo se MOSFET fa'atasi ai ma le fa'ailoga o le gate voltage o le 4.5V e fa'aalia ai ni fa'alavelave. O lenei lu'itau e fa'aalia foi i talosaga e aofia ai le 3V po'o isi sapalai eletise maualalo.