Faiga fa'avae ole fa'aleleia ole ala ole N MOSFET

(1) Le a'afiaga o le vGS ile ID ma le alalaupapa

① Tulaga o vGS=0

E mafai ona va'aia o lo'o iai fa'atasiga PN e lua i tua i tua i le va o le alavai d ma le puna s o le fa'aleleia o faiga.MOSFET.

A o le faitotoa-puna voltage vGS = 0, e tusa lava pe faaopoopo le alavai-punavai voltage vDS, ma e tusa lava po o le polarity o vDS, o loo i ai pea se sootaga PN i le tulaga faaituau i tua. E leai se ala ta'avale i le va o le alavai ma le puna, o le alavai o lo'o iai ID≈0 i le taimi nei.

② Le tulaga o vGS>0

Afai vGS> 0, o se eletise eletise e gaosia i le SiO2 insulating layer i le va o le faitotoa ma le substrate. O le itu o le eletise eletise e faʻatatau i le eletise eletise e faʻatonu mai le faitotoa i le substrate i luga o le semiconductor surface. O lenei eletise eletise e tuliesea pu ma tosina mai ai eletise. Tu'u ese o pu: O pu i le P-ituaiga substrate latalata i le faitotoa e tete'e, ma tu'u ai ion acceptor (negative ions) e fai ai se vaega fa'aitiitia. Toso eletonika: O le eletonika (avega laiti) i le P-ituaiga substrate e tosina atu i luga ole substrate.

(2) Fa'avaeina o alavai fa'ata'ita'i:

Pe a laʻititi le tau o le vGS ma e le malosi le malosi e tosina mai ai le eletise, e leai lava se auala faʻaulu i le va o le alavai ma le puna. A'o fa'atupula'ia le vGS, e to'atele atu eletoni e tosoina i luga ole vaega ole P substrate. A oʻo atu le vGS i se tau faʻapitoa, o nei electrons e fausia se N-ituaiga manifinifi vaega i luga o le pito i luga ole P substrate latalata i le faitotoa ma e fesoʻotaʻi atu i le lua N + itulagi, fausia se N-ituaiga auala conductive i le va o le alavai ma le punavai. O lona ituaiga conductivity e faafeagai ma le P substrate, o lea e taʻua foi o le inversion layer. O le tele o le vGS, o le malosi o le eletise eletise o loʻo galue i luga o le semiconductor surface, o le tele o electrons e tosina atu i luga o le P substrate, o le mafiafia o le auala faʻaulu, ma le laʻititi o le teteʻe o le alalaupapa. O le alavai-punavai pe a amata ona fausia le alalaupapa ua ta'ua o le voligi liliu, o lo'o fa'atusalia e le VT.

O leN-auala MOSFETo lo'o talanoaina i luga e le mafai ona fausia se ala ta'avale pe a vGS <VT, ma o le paipa o lo'o i se tulaga tipi. Na'o le vGS≥VT e mafai ai ona fai se alalaupapa. O lea ituaigaMOSFETe tatau ona fausia ai se ala ta'avale pe a ta'ua le vGS≥VT o se faiga fa'aleleiaMOSFET. A mae'a ona fa'atūina le alavai, e fa'atupuina le alavai pe a fa'aogaina se vDS i luma i le va o le alavai ma le puna. O le aafiaga o le vDS i luga ole ID, pe a vGS>VT ma o se tulaga taua, o le aafiaga o alavai-puna voltage vDS i luga o le auala conductive ma ID o loʻo i ai nei e tutusa ma lena o le junction field aafiaga transistor. O le pa'u o le voltage e mafua mai i le alavai ID o lo'o i luga o le alalaupapa e le toe tutusa ai voltage i le va o itu taitasi i totonu o le alalaupapa ma le faitotoa. O le voltage i le pito latalata i le puna e sili ona tele, lea e sili ona mafiafia le alalaupapa. Ole voltage ile pito alavai ole la'ititi lea, ma o lona tau ole VGD=vGS-vDS, o lea ole alavai e sili ona manifinifi iinei. Ae a laʻititi le vDS (vDS